特許

J-GLOBAL ID：200903032149789990

半導体レーザ装置

発明者： ウィリアム スコット ホブソン ,  ダリューシュ ヴァクショーリ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018753
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232692
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 低ビーム発散の半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板上に半導体層構造体と、この半導体層構造体に電流を流す接点とを有する半導体レーザ(79)を有する装置において、前記半導体層構造体は、第1導電型の少なくとも1つの層と第2導電型の少なくとも1つの層と、前記第1導電型の層と第2導電型の層との間に活性領域とを有し、前記下部クラッド層と上部クラッド層の各々は、少なくとも1つのモード整形層(13,17)を有する。本発明の半導体層構造体はAlを含有せず、4元のIII/V属半導体材料を含有しない。

請求項（抜粋）：

基板(11)上に半導体層構造体と、この半導体層構造体に電流を流す接点とを有する半導体レーザ(79)を有する装置(70)において、前記半導体層構造体は、第1導電型の少なくとも1つの層と第2導電型の少なくとも1つの層と、前記第1導電型の層と第2導電型の層との間に活性領域とを有し、前記半導体層構造体は、波長λのレーザ放射用の導波路を形成し、前記導波路は、下部クラッド層(120,121)と、上部クラッド層(150,151,152)と、前記下部クラッド層と上部クラッド層の間のコア領域(14)とを有し、前記コア領域(14)は、前記活性領域の少なくとも一部を含み、波長λにおけるコア領域の有効屈折率は、前記下部クラッド層と上部クラッド層の少なくとも一部の有効屈折率よりも大きく、前記下部クラッド層と上部クラッド層の各々は、少なくとも1つのモード整形層(13,17)を有し、波長λにおけるモード整形層(13,17)の屈折率は、クラッド層の前記モード整形層に隣接する部分の屈折率よりも大きく、モード整形層とコア領域とのスペースおよびモード整形層の屈折率は、レーザモードの直径が増加し、かつ横断方向のレーザモードが安定するよう選択されることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10 Z ,  H04B 9/00 W

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-348149   出願人：古河電気工業株式会社