特許
J-GLOBAL ID：200903032151369280
化合物半導体超格子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291133
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】p型不純物を変調ドーピングした単一または多重量子井戸構造を持つ半導体レーザ等に適用される化合物半導体超格子において、p型不純物の障壁層から量子井戸層への熱拡散を抑制することができ、良好なレーザ特性が得られる化合物半導体超格子を提供する。【構成】量子井戸層と障壁層とを交互に積層して構成される単一または多重量子井戸構造において、障壁層と量子井戸層とのヘテロ界面の障壁層側もしくはヘテロ界面近傍の両層側にSi等のn型不純物、Cd等のp型不純物またはYb等の電気的に中性の不純物をドーピングする。【効果】p型不純物の障壁層から量子井戸層への熱拡散を抑制することができ、障壁層のみに高濃度のp型不純物の変調ドーピングが可能となり、p型不純物の熱拡散によるレーザ特性の劣化の防止、活性層での光損失の増大および量子井戸層での結晶特性の劣化を防止でき、高特性の半導体レーザが得られる。
請求項（抜粋）：
InP結晶基板上に、In1-xGaxAsyP1-yの組成で示される四元混晶もしくはIn1-xGaxAsの組成で示される三元混晶からなる量子井戸層と、該量子井戸層よりもバンドギャップが大きく、InP結晶基板におおむね格子整合し、かつp型不純物が添加されたIn1-xGaxAsyP1-yの組成で示される四元混晶からなる障壁層とを交互に積層して構成された単一または多重量子井戸構造において、上記障壁層と量子井戸層とのヘテロ界面近傍の障壁層側もしくはヘテロ界面近傍の障壁層と量子井戸層の両層側に、n型、p型または電気的に中性の不純物を添加してなることを特徴とする化合物半導体超格子。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C01B 25/08
, C30B 29/68
, H01L 21/02
, H01S 3/18
