特許
J-GLOBAL ID：200903032151964120
CVD-SiC膜被覆部材およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380432
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180254
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：
【要約】【課題】SiC膜が基材から剥離やチッピングがないCVD-SiC膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面2sが平坦なSiC基材2と、この基材2の表面2sに結晶方位を揃えて形成され表面3sが平坦なSiC中間層3と、この中間層3の表面3sに形成されたCVD-SiC層4とを有するCVD-SiC膜被覆部材。
請求項（抜粋）：
表面が平坦なSiC基材と、この基材の表面に結晶方位を一定方向に揃えて形成され表面が平坦なSiC中間層と、この中間層の表面に形成されたCVD-SiC層とを有することを特徴とするCVD-SiC膜被覆部材。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K030AA03
, 4K030AA09
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA37
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030LA12
, 5F045AA03
, 5F045EM09
