特許

J-GLOBAL ID：200903032153990675

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  林 重徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105595
公開番号（公開出願番号）：特開平10-302996
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給ユニット2から適当なガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を適当な圧力に保ちながら、コイル用高周波電源4により100MHzの高周波電力を、接続線路9、マッチング回路10、中央部に絶縁ブロック13を設けた遮蔽板12を貫通する接続導体11aおよび11bを介して、誘電体14に沿って配置されたコイル5に供給するとともに、電極用高周波電源8により500kHzの高周波電力を電極6に供給し、真空容器1内にプラズマを発生させ、電極6上に載置された基板7に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を適当な圧力に制御しながら、マッチング回路を介してコイルの実質的な中心に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させて、真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法において、マッチング回路とコイルを接続するための接続導体から放射される電磁波が、真空容器内において、コイルの実質的な中心を通りかつ基板に垂直な直線に対してほぼ対称であることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/54 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 14/54 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B