特許
J-GLOBAL ID：200903032158285848
セラミック基板用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
室田 力雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045773
公開番号（公開出願番号）：特開平6-234568
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 Ag、Ag-Pd、Au、Cu等の比較的融点の低い低抵抗導体を多層基板の内部電極として、比較的低い温度(約800 〜1000°C)で同時焼成することができ、また電子回路を多層に形成する多層配線基板として要求される体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等の一般的特性を満足し、また高周波用基板の品質の安定性に必要なTCCを小さく(±0〜±50 ppm/°C)抑えることができ、さらに焼成後の多層配線基板に反り、電子回路の剥離が生じないセラミック基板用組成物の提供を目的とする。【構成】 酸化物に換算して、SiO2 が20〜50重量%、Al2 O3 が10〜20重量%、CaOが10〜20重量%、BaOが0〜10重量%、MgOが0〜10重量%、ZnOが3〜20重量%、TiO2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5重量%、PbOが4〜30重量%からなるガラス成分を65〜95重量%、チタン酸塩を5〜35重量%含むセラミック基板用組成物。
請求項（抜粋）：
酸化物に換算して、SiO2 が20〜50重量%、Al2 O3 が10〜20重量%、CaO が10〜20重量%、BaO が0〜10重量%、MgO が0〜10重量%、ZnO が3〜20重量%、TiO2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5重量%、PbO が4〜30重量%、からなるガラス成分を65〜95重量%、チタン酸塩を5〜35重量%含むことを特徴とするセラミック基板用組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/16
, H05K 1/03
, H05K 3/46
