特許

J-GLOBAL ID：200903032161237625

炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法

発明者： 古賀 和幸 ,  八木 克己 ,  山口 隆夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131067
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 高キャリア濃度のp型六方晶SiC単結晶層が得られるSiCウエハの製造方法及びp型六方晶SiC単結晶層の高キャリア濃度化が可能なSiC発光ダイオード素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n型の6H形SiC単結晶基板1の(0001)面から<10-10>方向に1度以上10度以下傾斜した面1a上にp型の6H形SiC単結晶層3をCVD法によりエピタキシャル成長する。

請求項（抜粋）：

六方晶炭化ケイ素単結晶基板の(0001)面から<10-10>方向に1度以上10度以下傾斜した面上に、p型六方晶炭化ケイ素単結晶層を気相エピタキシャル成長法によりエピタキシャル成長することを特徴とする炭化ケイ素ウエハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205