特許

J-GLOBAL ID：200903032162665434

半導体素子の成形方法

発明者： ダニエル・カバシン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-071620
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 洗浄の必要性を低減し、耐久性の高い半導体素子の成形方法を提供する。【解決手段】 成形型(40)は、改良面(16),(20)をそれぞれ有する下側プラテン(10)および上側プラテン(18)を含む。改良面は、プラテンの内、少なくとも、成形化合物樹脂と接触する領域内へ、インプラント化学種をインプラントすることにより形成される。イオン・インプランテーションにより成形型の表面を改良することによって、改良面の表面摩擦および湿潤性が低下するため、成形型を洗浄する必要性が低減する。また、これらの表面特性により、型からの成形パッケージの放出が一層容易になる。同時に、表面硬度が向上するため、成形型の耐摩耗性が改善される。

請求項（抜粋）：

半導体素子の成形方法であって:成形すべき半導体素子を規定する空洞を有する成形型(10)を用意する段階であって、該成形型(10)は第1表面を有する第1プラテン(18,10)から成り、前記第1表面の一部はイオン・インプランテーションにより改良され第1改良面を形成してある前記成形型(10)を用意する段階;半導体素子(24)を用意する段階;前記成形型(10)の前記空洞内に前記半導体素子(24)を配置する段階;成形化合物を用意する段階;および前記成形型(10)の前記空洞を前記成形化合物により充填する段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

B29C 33/38 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 ,  B29L 31:34

FI (4件)：

B29C 33/38 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 T