特許

J-GLOBAL ID：200903032168325120

半導体レーザパルス発生装置及びその製造方法

発明者： 小川 洋
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048803
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233887
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 高速レーザパルスを得られる半導体レーザパルス発生装置を提供する。【解決手段】 第1の活性層を有する利得領域と、第1の活性層に連続する第2の活性層を有し、利得領域に連続的に形成され、該利得領域と共に共振器長を規定する可飽和吸収領域とを含む半導体レーザパルス発生装置。第1の活性層及び第2の活性層のうち、少なくとも一方の活性層におけるバンドギャップ波長を、共振器長方向に沿って変化させる。

請求項（抜粋）：

誘導放出光を発生する第1の活性層を有する利得領域と、前記第1の活性層に連続し前記誘導放出光をモード同期のために部分的に吸収する第2の活性層を有し、前記利得領域に連続的に形成され、該利得領域と共に共振器長を規定する可飽和吸収領域とを含む半導体レーザパルス発生装置であって、前記第1の活性層及び第2の活性層のうち、少なくとも一方の活性層におけるバンドギャップ波長は、前記共振器長方向に沿って変化することを特徴とする半導体レーザパルス発生装置。