半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087728
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】低電源電圧で高速動作を可能にする。【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように前記半導体層に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型のソースおよびドレイン領域と、前記チャネル領域と前記絶縁膜との間に設けられた第1導電型の不純物層と、を備え、前記チャネル領域と前記不純物層との膜厚の和が前記ソース領域または前記ドレイン領域の膜厚よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように前記半導体層に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型のソースおよびドレイン領域と、前記チャネル領域と前記絶縁膜との間に設けられた第1導電型の不純物層と、を備え、前記チャネル領域と前記不純物層との膜厚の和が前記ソース領域または前記ドレイン領域の膜厚よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/84 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 621 , H01L 21/84 , H01L 29/78 618 A

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