半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102381
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】ガルウィングタイプ半導体デバイスの半田付後の半田付部の強度を増大する。【構成】ガルウィングタイプリード半田付部に凹凸状の溝10等を設け、半田付部表面積を大きくして半田付部の強度を増大させ、半導体装置1と基板4の温度変化による膨張差で発生するリード半田付部のリードと半田の界面ストレスでの剥離を防止する。【効果】半田付後の温度サイクル性を向上し、高信頼の半導体装置が提供できる。

請求項（抜粋）：