多孔性誘電性層及びエアギャップを有する半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524213
公開番号（公開出願番号）：特表2004-508712
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

本発明は、デュアルダマシン構造(20)を採る半導体装置の製造方法に関するものである。このデュアルダマシン構造(20)は金属層(1)を備え、その上に、垂直通路(3)を有する第1の誘電性層(2)を有する。第1の誘電性層(2)の上に、連結用の溝6を有する第2の誘電性層(5)が形成される。垂直通路(3)と溝(6)は上端面10を有する金属リード(9)を形成する金属で満たされる。本発明の方法は、第2の誘電性層(5)を除去するステップと、第1の誘電性層(2)と金属リード(9)に対してディスポーザブル層(12)を積層するステップと、金属リード(9)の上端面(10)まで、ディスポーザブル層(12)を平坦化するステップと、ディスポーザブル層(12)の上に、多孔性誘電性層(13)を積層するステップと、エアギャップ(14)を形成するように多孔性誘電性層(13)を通じてディスポーザブル層(12)を除去するステップとを備える。本発明によれば、第2の誘電性層(5)は、金属リード(9)を画定するための捨石の層として用いられる。金属リード(9)の画定後、第2の誘電性層(5)を除去することにより、金属リード(9)は第1の誘電性層(2)の上に直立する。これにより、金属リード(9)の隣にエアギャップ(14)を形成することができる。

請求項（抜粋）：

金属層(1)と、この金属層の上に設けられた垂直通路(3)を有する第1の誘電性層(2)と、この第1の誘電性層(2)の上に設けられた連結用の溝(6)を有する第2の誘電性層(5)とを含むデュアルダマシン構造(20)を備え、前記垂直通路(3)と連結用の溝(6)内に、上端面(10)を有する金属リード(9)を形成する金属が存在している半導体装置の製造方法において、前記第2の誘電性層(5)を除去するステップと、前記第1の誘電性層(2)と前記金属リード(9)の上にディスポーザブル層(12)を用意するステップと、前記ディスポーザブル層(12)を前記金属リード(9)の上端面(10)まで平坦化するステップと、前記ディスポーザブル層(12)の上に多孔性誘電性層(13)を用意するステップと、エアギャップ(14)を形成するように前記多孔性誘電性層(13)を通じて前記ディスポーザブル層(12)を除去するステップと、を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 N

Fターム (41件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ71 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033RR27 , 5F033RR29 , 5F033RR30 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033TT00 , 5F033XX01 , 5F033XX05 , 5F033XX24

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