半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087399
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270380
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】最上層がシリコン層であるという利点を保ちつつ、熱処理によっても例えば0.5μm以下の細い配線幅でも層抵抗値の増大・ばらつきがない半導体装置の提供。【解決手段】第1のシリコン層を有し、その上の層には高融点金属の窒化物または炭化物の層を有し、その直上の層に金属シリサイド薄膜を有し、さらにその上層に第2のシリコン層を有する積層構造を配線として具備する。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン層の上層に高融点金属の窒化物または炭化物の層を有し、その直上の層に金属シリサイド薄膜を有し、さらにその上層に第2のシリコン層を有する積層構造を配線として具備する、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/88 Q , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-205468
特開平2-164074
特開昭63-224255

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