特許

J-GLOBAL ID：200903032191443629

超音波トランスデューサ及びその製造方法

発明者： 沢田 之彦 ,  三田村 宣明 ,  川俣 健
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-285695
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は電磁的クロストークを低減し、超音波画像の画質の向上を実現し得る超音波トランスデューサを提供する。【解決手段】 両面に電極が形成されているとともに、一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、他方の電極に共通の接地リード線48が接続される複数の圧電素子23と、前記圧電素子23を配設する背面制動材4と、前記圧電素子23に設ける少なくとも1層の音響整合層とを有する超音波トランスデューサ18において、各圧電素子23間に設ける電気的絶縁部材9と、前記電気的絶縁部材9に、少なくとも接地リード線48が接続される圧電素子23の電極側が開口する状態で、かつ、圧電素子の厚み方向に設けた成膜用溝10と、この成膜用溝10の内面と接地リード線が接続される圧電素子の電極とに気相法によって連続に形成した導体薄膜とを有するものである。

請求項（抜粋）：

両面に電極が形成されているとともに、一方の電極に個々の駆動リード線が接続され、他方の電極に共通の接地リード線が接続される複数の圧電素子と、前記圧電素子を配設する背面制動材と、前記圧電素子に設ける少なくとも1層の音響整合層と、を有する超音波トランスデューサにおいて、各圧電素子間に設ける電気的絶縁部材と、前記電気的絶縁部材に、少なくとも接地リード線が接続される圧電素子の電極側が開口する状態で、かつ、圧電素子の厚み方向に設けた成膜用溝と、この成膜用溝の内面と接地リード線が接続される圧電素子の電極とに気相法によって連続に形成した導体薄膜と、を有することを特徴とする超音波トランスデューサ。

IPC (6件)：

H04R 17/00 332 ,  H04R 17/00 330 ,  A61B 8/00 ,  G01N 29/24 ,  H04R 1/34 330 ,  H04R 31/00

FI (6件)：

H04R 17/00 332 A ,  H04R 17/00 330 J ,  A61B 8/00 ,  G01N 29/24 ,  H04R 1/34 330 A ,  H04R 31/00 C