特許
J-GLOBAL ID：200903032201124861
半導体基体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151789
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 絶縁物基板上に、結晶性が単結晶ウエハ並に優れたSi結晶層を得るうえで生産性、均一性、制御性、経済性の面において優れた方法を提供する。【構成】 半導体単結晶基体205に対し、該基体の反対導電型の拡散層201を形成した後、材質を特定しない別基体204に該半導体基体205を貼り合わせ、有機アルカリ溶液中の電界エッチングによって、前記半導体基体205の前記拡散層201以外の単結晶部分を除去することを特徴とする半導体基体の形成方法。また、前記拡散層201上にシリコン熱酸化膜202、及びリフラクトリ・メタル206を形成し、シリコンとのシリサイド反応によって、前記貼り合わせの接着を行ったことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基体に対し、該基体の反対導電型の拡散層を形成した後、材質を特定しない別基体に該半導体基体を貼り合わせ、有機アルカリ溶液中の電界エッチングによって、前記半導体基体の前記拡散層以外の単結晶部分を除去することを特徴とする半導体基体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/306
, H01L 21/76
