特許
J-GLOBAL ID：200903032203034215
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019995
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213547
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】複数のパワーチップ素子を搭載したパワートランジスタモジュールなどを対象に、ヒートサイクルに起因する半導体チップ素子,絶縁基板,樹脂ケースなどのクラック割れを防いで信頼性の向上が図れるようにした半導体装置を提供する。【構成】樹脂ケース2に組み込んだ複数のパワー半導体チップ素子(IGBT5,ダイオード6)を絶縁基板4を介して放熱用金属ベース板1に載置し、ケース上蓋2bに支持した外部導出端子3と半導体チップ素子との間を内部配線接続したものにおいて、金属ベース板1を複数枚(#1,#2)に分割してそれぞれに絶縁基板,半導体チップ素子を振り分けて載置し、かつ各金属ベース板をその底面が外部に露呈するよう樹脂ケースの底壁に固着し、さらに内部配線用電極板14,15を樹脂ケースの底壁上に敷設してチップとワイヤ接続する。
請求項（抜粋）：
端子一体形の樹脂ケース内に複数のパワー半導体チップ素子を組み込んでなる半導体装置であり、パワー半導体チップ素子を絶縁基板を介して放熱用金属ベース板上に載置し、ケース上蓋に支持した外部導出端子と半導体チップ素子との間を内部配線接続したものにおいて、金属ベース板を複数枚に分割してそれぞれに絶縁基板,半導体チップ素子を振り分けて載置するとともに、各金属ベース板をその底面が外部に露呈するよう樹脂ケースの底壁を貫通させてケースに固着したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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