特許
J-GLOBAL ID：200903032205223619
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208753
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078665
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 Inz G1-z As層をチャネル層とするHEMTにおいて、In組成zを増大しても、チャネル層のミスフィット転位等の発生が抑制でき、移動度μの低下が防止でき、結果として高gm特性の実現可能な新規な構造を提案する。【構成】 半絶縁性GaAs基板上に、バッファ層を介して、燐を構成元素として含むIII -V族化合物半導体からなる転位抑制層を形成し、InGaAsチャネル層をこの転位抑制層に直接接触するようにして形成した構造のHEMTである。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板と、該基板上にバッファ層を介して形成された、燐を構成元素として含むIII -V族化合物半導体からなる転位抑制層と、該転位抑制層に接触してその上部に形成された、InGaAsからなるチャネル層と、該チャネル層の上部に形成された該チャネル層より電子親和力が小さな半導体からなる電子供給層と、該電子供給層の上部に形成されたソース電極、ドレイン電極、ゲート電極とを少なくとも具備することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/20
