塩基遮断性反射防止膜およびレジストパターンの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福沢俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049931
公開番号（公開出願番号）：特開平7-234514
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】レジストを使用するリソグラフィープロセスにおいて、雰囲気中の塩基性物質の影響を遮断し、かつ定在波効果を低減でき、さらに水および現像液に対する溶解性および塗布性に優れた塩基遮断性反射防止膜、並びにレジスト被膜表面の難溶化層の形成と定在波効果による影響とを同時に解決し、解像度、現像性、パターン形状、塗布性等に優れたレジストパターンの形成方法、を提供する。【構成】塩基遮断性反射防止膜は、(イ)スルホン酸基含有不飽和単量体とフルオロアルキル基含有不飽和単量体との共重合体(塩)と、(ロ)炭素数が5〜15のフルオロアルキル基を有する、フルオロアルキルスルホン酸および/またはフルオロアルキルカルボン酸を含有する。レジストパターンは、基板上に形成したレジスト被膜上に前記塩基遮断性反射防止膜を形成したのち、放射線を照射し、現像することによって形成される。

請求項（抜粋）：

(イ)下記式(1)で表される少なくとも1種の繰返し単位と下記式(2)で表される少なくとも1種の繰返し単位とを有する共重合体および/またはその塩と、(ロ)炭素数が5〜15のフルオロアルキル基を有するフルオロアルキルスルホン酸および/または炭素数が5〜15のフルオロアルキル基を有するフルオロアルキルカルボン酸とを含有することを特徴とする塩基遮断性反射防止膜。【化1】〔式(1)において、R1は水素原子または有機基を示し、R2は2価の有機基を示す。〕【化2】〔式(2)において、R3は水素原子または有機基を示し、Rfはフルオロアルキル基を示し、Aは直接結合、アルキレン基またはフルオロアルキレン基を示す。〕

IPC (2件)：

G03F 7/11 501 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 561 , H01L 21/30 574

引用特許：

出願人引用 (9件)

表面反射防止コーティングフィルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128453 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-244714 出願人：株式会社東芝
化学増幅型レジスト用塗布液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-290961 出願人：東京応化工業株式会社

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