特許
J-GLOBAL ID：200903032211010570
荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269081
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111595
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】サブフィールド内に発生させたエリアと露光パターンとのマッチングがとれない場合でも、適切な補助露光パターンを発生して近接露光効果を与える。【解決手段】メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータからサブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、これに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法であって、露光データの生成工程では、サブフィールド内に複数のエリアを発生し、エリア内のパターン密度を求め、エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従ってパターン密度を見直し、見直したパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、エリア内に補助露光パターンを発生し、これをパターンデータに追加した露光データを生成し、パターン存在領域間の距離が所定の基準距離より大きい場合は、パターン存在領域間の更に補助露光パターンを発生する工程を有する。
請求項（抜粋）：
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、(a)前記サブフィールド内に複数のエリアを発生する工程と、(b)該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、(c)前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、(d)前記パターンが存在するパターン存在領域間の距離が所定の基準距離より大きい場合は、前記パターン存在領域間であって前記露光基準密度より高いパターン密度を有するエリアに、更に補助露光パターンを発生する工程と、(e)前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04
H01L 21/30 541 Z
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04 M
, H01L 21/30 551
