特許

J-GLOBAL ID：200903032211855937

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山内 経則 ,  金田 寛 ,  本間 一弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361526
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164512
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 簡便な工程で、Qの高いインダクタを形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 比抵抗800Ωcm以上、酸素濃度5×1017cm-3以下のシリコン基板10と、シリコン基板に形成されたインダクタ32bとを有している。

請求項（抜粋）：

比抵抗800Ωcm以上、酸素濃度5×1017cm-3以下のシリコン基板と、前記シリコン基板に形成されたインダクタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 21/322 M ,  H01L 21/322 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/08 321 B

Fターム (22件)：

5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ18 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA00 ,  5F048BA01 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BB07 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048BH07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-067375   出願人：株式会社東芝
• 磁気素子を搭載した集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263316   出願人：神奈川県, 科学技術振興事業団
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273132   出願人：日本電気株式会社
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-256562   出願人：ローム株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257100   出願人：三洋電機株式会社