特許
J-GLOBAL ID：200903032213952905
定電圧ショットキーダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270925
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116999
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 サージ耐量、信頼性が高い、一定の耐圧に制御された定電圧ショットキーダイオードを得る。【解決手段】 n型半導体領域1の表面からn型半導体領域1内に延び、第1のpn接合を有するようにp型半導体領域2及び21が選択的に形成され、これにより、p型半導体領域2及び21に囲まれた互いに一定の間隔に配置されたn型半導体領域1を有し、p型半導体領域2及び21に延びるp++型半導体領域5が形成され、p型半導体領域21及びp++型半導体領域5に包囲されて、p型半導体領域21及びp++型半導体領域5との間に第2pn接合及び第3pn接合を形成するn+ 型半導体領域4が形成され、他方の表面にn+ 型半導体領域3が形成されている。【効果】 急峻な逆バイアス電圧が印加されるとpn接合のp型半導体に空乏層が拡がり、空乏層の先端が埋め込まれた高不純物濃度のn+ 型半導体領域にまで延び、第3pn接合でアバランシェ降伏が生じ、局所的な熱破壊を防止する。
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有する半導体基体のそれぞれの主表面に第1、第2の主電極が設けられて構成される定電圧ショットキーダイオードにおいて、前記半導体基体は、一方の主表面に隣接する第1導電型の第1半導体領域の一方の主表面から第1半導体領域に延び、第1半導体領域との間に終端する第1のpn接合を形成する第1半導体領域より高不純物濃度の第2導電型の第2半導体領域が、一方の主表面から見て第2半導体領域の外周部の内側に、少なくとも1つ以上の第1半導体領域が一方の主表面に露出する部分を有するように選択的に形成され、さらに、一方の主表面から少なくとも第2半導体領域に延びる第2半導体領域より高不純物濃度の第2導電型の第3半導体領域が形成され、他方の主表面に第1半導体領域に隣接する第1半導体領域より高不純物濃度の第1導電型の第4半導体領域が形成され、第2半導体領域及び第3半導体領域に包囲され第2半導体領域及び第3半導体領域との間に第2のpn接合及び第3のpn接合を形成する第2半導体領域と第3半導体領域の間の不純物濃度を有する第1導電型の第5半導体領域が形成されて構成され、前記第1の主電極は、前記半導体基体の一方の主表面に、少なくとも第3半導体領域にオーミック接触し、第2半導体領域の外周部の内側に露出する少なくとも1つ以上の第1半導体領域にショットキー接触して設けられ、前記第2の主電極は、前記半導体基体の他方の主表面に、第4半導体領域にオーミック接触して設けられたことを特徴とする定電圧ショットキーダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/866
, H01L 29/872
H01L 29/90 D
, H01L 29/48 P
