特許

J-GLOBAL ID：200903032215919204

薄膜トランジスターの製法

発明者： 山添 博司
出願人/特許権者： 山添 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099905
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294793
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【発明の名称】薄膜トランジスターの製法。【課題】結晶質シリコン膜表面の凹凸が大であり、これがTFT特性の不均一性に至る。また、ドーピング濃度の不均一性も課題である。【解決手段】構成(+効果)溶融-結晶化の際、静磁場を印加する。また、ドーピングを中性子照射による核変換により行う。また、多結晶シリコン膜の下部に酸化珪素相を存在せしめる。

請求項（抜粋）：

基板上、平坦な表面を有するシリコン膜を形成し、つぎにシリコン原子の対流移動を抑制しつつ、溶融-結晶化させて結晶質シリコン膜を得ることを特徴とする薄膜トランジスターの製法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20

Fターム (43件)：

5F052AA02 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA08 ,  5F110AA18 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP35