特許

J-GLOBAL ID：200903032216642230

酸化物薄膜基板材料

発明者： 坂下 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267197
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体層と金属酸化物層よりなる薄膜基板材料に関するものである。特に、半導体単結晶基板上に強誘電体エピタキシャル薄膜が存する構造を有する電子デバイス用薄膜基板材料を提供する。【構成】 シリコン叉は化合物半導体からなる単結晶基板 (100)面上に、Li(Nbx,Ta1-x)O3 (0≦x≦1) (以下LNTと称す)薄膜を、LNT(012)‖基板(100),LNT[100]‖基板[010]のエピタキシャル関係を有して形成された構造を有する薄膜基板材料。【効果】 シリコン叉は化合物半導体からなる単結晶基板上にLNT薄膜がエピタキシャル成長した薄膜基板材料を提供できる。本発明により、高機能性酸化物薄膜デバイス、例えば薄膜表面弾性波デバイス等の開発が可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン叉は化合物半導体からなる単結晶基板 (100)面上に、Li(Nbx,Ta1-x)O3 (0≦x≦1) (以下LNTと称す)薄膜を、LNT(012)‖基板(100),LNT[100]‖基板[010]のエピタキシャル関係を有して形成された構造を有することを特徴とする薄膜基板材料。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H03H 9/25