特許
J-GLOBAL ID：200903032216673250
CMOSイメージセンサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062580
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264277
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってCMOSイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。【解決手段】 エピウエハを素子基板として用いることを特徴とするCMOSイメージセンサ。素子基板中の素子と配線とを接続するコンタクトホールを形成後に、タングステン層を形成し、該コンタクトホール以外のタングステン層を除去後、窒素水素雰囲気のアニールもしくは水素雰囲気のアニールを行うことを特徴とするCMOSイメージセンサ。
請求項（抜粋）：
素子基板としてエピウエーハを採用したCMOSイメージセンサ。
Fターム (13件)：
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA09
, 4M118EA15
, 4M118EA16
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118FA42
