特許
J-GLOBAL ID：200903032218119080
導波路型半導体光素子および光モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102651
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】内部損失が少なくかつ光結合特性の良好なビーム拡大機能集積型半導体光素子,およびこれを用いた光モジュールを提供する。【解決手段】ビームを拡大する際のコア幅の減少の仕方を限定することにより,光の散逸を抑さえる。半導体光素子本来の特性を損なわずに,ビームを拡大が可能になる。
請求項（抜粋）：
第一の半導体結晶層と基板結晶との間に第一の半導体結晶層よりも等価的な屈折率が低い第二の半導体結晶層を有し,かつ第一の層の幅,第二の層の幅,および光導波路幅が一定である第一の領域と,光軸方向に第一の半導体結晶層の幅が減少しかつ光導波路幅が広がる第二の領域が集積した導波路型半導体光素子において,第二の領域における第一の半導体結晶層への光閉じ込め係数が0.1以上の任意の領域において,第一の半導体結晶層の幅が,光軸方向の単位長さ当り,各位置での導波モードの等価屈折率と基板の屈折率との差と各位置での第一の半導体結晶層の幅との積を伝搬光の波長の2倍で除した値よりも大きく減少することを特徴とする導波路型半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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