特許

J-GLOBAL ID：200903032218651245

スパッタリング装置及びスパッタリング方法

発明者： 小林 正彦 ,  高橋 信行
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165214
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001770
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 アスペクト比4以上のホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。【解決手段】 排気系11を備えたスパッタチャンバー1内に設けられたターゲット2をスパッタするスパッタ電源3は、ターゲット2に対して所定の高周波電力を印加するものであり、ターゲット2と基板50との間のスパッタ粒子の飛行経路を取り囲むように補助電極6が設けら、補助電極6は高周波電力が印加されたターゲット2と容量性結合するよう浮遊電位に維持されるか、同一の周波数の高周波電力が印加される。補助電極6の内側にはプラズマP’が形成され、ターゲット2から放出されたスパッタ粒子がイオン化され、電界設定手段8が設定した引き出し用電界で導かれて基板50に垂直に入射する。

請求項（抜粋）：

排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリング装置であって、前記スパッタ電源は、前記ターゲットに対して所定の高周波電力を印加するものであり、前記ターゲットと基板との間のスパッタ粒子の飛行経路を取り囲むように補助電極が設けられており、この補助電極は、前記高周波電力が印加されたターゲットと容量性結合するよう浮遊電位に維持され、、前記ターゲットに印加された高周波電力によって当該補助電極の内側にプラズマが形成されるよう構成されていることを特徴するスパッタリング装置。