半導体装置の層間絶縁膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-290587
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218009
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】硫酸ボイルや大気中原子との反応を遮断して外部からの衝撃が軽減し、高濃度BPSGの破壊を防止することにより、低温でフローが良好な半導体装置の絶縁膜形成方法を提供する。【構成】素子を形成している半導体基板上に高濃度のホウ素とリンとを含有する絶縁膜を沈積するステップと、前記沈積した絶縁膜の表面をプラズマを用いて表面処理を行なうステップと、低温でリフロー工程を行なうステップとを備える。

請求項（抜粋）：

素子を形成している半導体基板上に高濃度のホウ素とリンを含有する絶縁膜を沈積するステップと、前記沈積した絶縁膜の表面をプラズマを用いて表面処理を行なうステップと、プラズマ表面処理後に低温でリフロー工程を行なうステップとを備える、半導体装置の層間絶縁膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-086426
特開昭62-188229
特開平2-181952

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