特許

J-GLOBAL ID：200903032220304153

有機金属気相成長装置

発明者： 小笠原 松幸
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184017
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121336
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 原料ガスを反応管に導入する際に使用するマスフローコントローラの流量を安定させ、所望の流量比に原料ガスを正確に分岐する有機金属気相成長装置を提供する。【構成】 有機金属ガスを供給する機構、該有機金属ガスを反応管まで輸送する配管、一定の流量比に該有機金属ガスを分岐し、複数のノズルから反応管に供給する機構、及び反応管内の圧力を大気圧よりも低い圧力に保ちつつ基板上に薄膜を成長させる機構を有する有機金属気相成長装置において、該配管内の圧力を一定値に保つ機構を設けた装置。該機構の例としては、マスフローコントローラ、流量可変バルブが挙げられる。

請求項（抜粋）：

有機金属の入ったバブラー内の圧力を一定値:PB に保ちつつ、該バブラー内においてキャリアガスをバブリングさせることにより該有機金属ガスを供給する機構、複数の該バブラーから供給された有機金属ガスを反応管まで輸送する配管、一定の流量比に該有機金属ガスを分岐し、複数のノズルから反応管に供給する機構、及び反応管内の圧力を大気圧よりも低い圧力:PR に保ちつつ基板上に薄膜を成長させる機構を有する有機金属気相成長装置において、該有機金属ガスを反応管まで輸送する配管に、該配管内の圧力を一定値:PC に保つ機構を設けたことを特徴とする有機金属気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  B01J 7/02 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502