特許
J-GLOBAL ID：200903032221238030
熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133292
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318436
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 赤外線受光部の物性値の温度依存性を高めてセンサ感度を向上させた熱型赤外線センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板1の上方に多結晶シリコン層14が形成され、該多結晶シリコン層14の表面に白金シリサイド層15が形成されてショットキーバリアダイオードが構成され、該ショットキーバリアダイオードが温度センサ部として用いられた熱型赤外線センサ10が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に多結晶シリコン層が形成され、該多結晶シリコン層の表面に金属膜又は金属シリサイド膜が形成されてショットキーバリアダイオードが構成され、該ショットキーバリアダイオードが温度センサ部として用いられていることを特徴とする熱型赤外線センサ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G01J 1/02 C
, G01J 1/02 B
, G01J 1/02 Q
, G01J 5/20
