特許

J-GLOBAL ID：200903032229169593

スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

発明者： 阪本 利司 ,  川浦 久雄 ,  砂村 潤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004010206
公開番号（公開出願番号）：WO2005-008783
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

本発明のスイッチング素子は、電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体と、イオン伝導体に接して、所定の距離だけ離れて設けられた第1の電極および第2の電極と、イオン伝導体に接して設けられた第3の電極とを有する構成である。オン状態に遷移させる電圧が第3の電極に印加されると、第1の電極および第2の電極の間に金属イオンによる金属を析出させて第1の電極および第2の電極を電気的に接続する。また、オフ状態に遷移させる電圧が第3の電極に印加されると、析出した金属を溶解させて第1の電極および第2の電極の電気的接続を切る。

請求項（抜粋）：

金属イオンが伝導可能なイオン伝導体と、 前記イオン伝導体に接して配置された第1の電極および第2の電極と、 前記イオン伝導体に接して配置され、前記金属イオンを含む第3の電極とを備え、 前記第1の電極と前記第2の電極の電極間距離をL1とし、該第1の電極と前記第3の電極の電極間距離をL2とし、該第2の電極と該第3の電極の電極間距離をL3とすると、 L1<L2×2 かつ L1<L3×2 の式の条件を満たすスイッチング素子。

IPC (7件)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/82 ,  G11C 13/02 ,  G11C 13/00 ,  H03K 19/177 ,  H01L 45/00

FI (8件)：

H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L21/82 A ,  G11C13/02 ,  G11C13/00 Z ,  H03K19/177 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z

Fターム (16件)：

5F064AA07 ,  5F064BB02 ,  5F064BB12 ,  5F064BB37 ,  5F064FF28 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5J042BA11 ,  5J042CA07 ,  5J042CA20 ,  5J042DA01