非接触型イオンビーム電流強度測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-244977
公開番号（公開出願番号）：特開2003-021670
出願日： 2001年07月08日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】イオンビーム電流を非接触で精度良く測定する装置を小型高感度化する方法を提供する。【解決手段】ビーム電流4により生じた磁場は超伝導磁気遮蔽2のギャップ17を減衰することなく通過し、磁心に超伝導線を巻いた検知コイル1で収集され、トランス入力コイル11からトランス出力コイル10、さらにSQUID入力コイル9に伝達されてSQUID8に磁束を誘起しようとする。この磁束の変化を打ち消すようにフィードバックコイル5に電流が流れ、その電流がフィードバック抵抗7の両端に発生させる電圧を測定することでビーム電流が測定できる。トランスの巻き数を最適化することで高感度化や小型化ができる。外部磁場はギャップ17により大きく減衰される。

請求項（抜粋）：

イオンビーム電流に対応した磁場を検知する検知部と、検知された磁場に対応した磁束に感応する超伝導素子を有する測定部と、検知部と測定部を磁気的に結合させるトランスと、前記検知部と測定部をイオンビームが流れる空間を含む外部空間から磁気遮蔽する超伝導体からなるギャップを有する磁気遮蔽部を少なくとも有することを特徴とするイオンビーム電流強度測定装置。

IPC (4件)：

G01R 33/035 ZAA , G01T 1/29 , G21K 5/04 , H01J 37/317

FI (4件)：

G01R 33/035 ZAA , G01T 1/29 B , G21K 5/04 C , H01J 37/317 C

Fターム (12件)：

2G017AA02 , 2G017AA14 , 2G017AD32 , 2G088EE29 , 2G088EE30 , 2G088FF13 , 2G088JJ02 , 2G088JJ09 , 2G088KK05 , 2G088KK40 , 2G088LL24 , 5C034CD07

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