特許
J-GLOBAL ID：200903032231143119
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190752
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026483
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】ベース抵抗とベース・コレクタ間容量を低減し、かつ、高い遮断周波数での動作が可能なバイポーラ型の半導体装置及びその製造方法を提供する。また、その半導体装置を用いた光伝送システムを提供する。【解決手段】エミッタ12と外部ベース18を絶縁膜サイドウォール17で分離し、絶縁膜サイドウォール17下面とエミッタ12下面が略同一平面であり、かつ、ベース引出し電極19とコレクタ領域3を絶縁膜8で分離した構造。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エミッタ領域と、コレクタ領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域との間に位置するベース領域と、開口部を有する絶縁膜と、前記ベース領域と電気的に接続されるよう構成されたベース引出し領域とを具備して成り、
前記ベース領域は単結晶ベース層を含んで成り、前記ベース引出し領域の下面は前記絶縁膜と接し、前記単結晶ベース層は前記絶縁膜の前記開口部内に形成され、前記エミッタ領域は高濃度単結晶エミッタ層を含んで成り、前記単結晶ベース層の幅が前記コレクタ領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/331
, H01L29/732
, H01L29/737
H01L29/72 P
, H01L29/72 H
5F003AP05
, 5F003BA27
, 5F003BA97
, 5F003BB05
, 5F003BB08
, 5F003BC08
, 5F003BM02
, 5F003BP24
, 5F003BP34
, 5F003BP96
, 5F003BS09
出願人引用 (6件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-017249
出願人：沖電気工業株式会社
-
特開平4-114434
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-296707
出願人：日本電気株式会社
全件表示
審査官引用 (7件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-017249
出願人：沖電気工業株式会社
-
特開平4-114434
-
特開平4-114434
全件表示
前のページに戻る
