薄膜コンデンサ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141757
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335179
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】実装が容易でかつ積層化が容易な低インダクタンス構造を有する薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層1の上面に正電極層2を、下面に負電極層3を形成した第1容量素子Aと、誘電体層1の上面に負電極層3を、下面に正電極層2を形成した第2容量素子Bとを並置するとともに、第1容量素子Aと第2容量素子Bの正電極層2同士および負電極層3同士を、接続端子電極5を介してそれぞれ接続してなるものである。

請求項（抜粋）：

誘電体層の上面に第1電極層を、下面に第2電極層を形成した第1容量素子と、誘電体層の上面に第2電極層を、下面に第1電極層を形成した第2容量素子とを並置するとともに、前記第1容量素子と第2容量素子の第1電極層同士および第2電極層同士を、接続端子電極を介してそれぞれ接続してなることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/33 , H01G 4/30 301 , H01G 4/30

FI (3件)：

H01G 4/06 102 , H01G 4/30 301 D , H01G 4/30 301 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-084616
特開昭64-084616

前のページに戻る