特許
J-GLOBAL ID：200903032244618604
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127286
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326389
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、レジストパターンを微細に形成する際にレジストパターン上部に庇が生じないようにすることができ、レジストパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができ、エッチング後のパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ポジ型の化学増幅レジストのレジストパターンを形成する際に、現像後の未露光部の膜厚がレジスト塗布後の膜厚に比べて500Å以上2000Å以下の範囲で薄くなるように設定するように構成する。
請求項（抜粋）：
ポジ型の化学増幅レジストのレジストパターンを形成する際に、現像後の未露光部の膜厚がレジスト塗布後の膜厚に比べて500Å以上2000Å以下の範囲で薄くなるように設定することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
