特許

J-GLOBAL ID：200903032244698195

ガス・デポジション法による超微粒子膜の形成法およびその形成装置

発明者： 林 主税 ,  賀集 誠一郎
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208134
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049656
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成される超微粒子の堆積膜に部分的な特性を極めて簡単に形成することが出来、微小なコンデンサーの作成の作成が容易で、かつ高温超伝導膜の補修に利用出来るガス・デポジション法による超微粒子膜の形成法と、それに用いる形成装置。【構成】 基板上にキャリアガスと超微粒子を同時に搬送して、超微粒子膜を形成する際、ノズル加熱と、超微粒子の堆積時に超微粒子膜の表面への加熱とを単独、或いは併用で行う超微粒子膜の形成法。基板に超微粒子とキャリアガスを噴射するノズルの先端にノズルを加熱する加熱装置、ノズル先端に近接して基板上に堆積される超微粒子を加熱するレーザービーム加熱装置を配置した超微粒子膜の形成装置。

請求項（抜粋）：

粒径1μm以下の超微粒子をキャリアガス中に浮遊させ、キャリアガスと共に搬送し、噴射して基板上に超微粒子膜を形成するガス・デポジション法において、搬送時の加熱による微粒子の加熱と、超微粒子の堆積時に超微粒子膜の表面からの加熱とを単独または併用で、膜の堆積部の予め設計された部分を必要とする温度に加熱することにより、超微粒子膜に複合的特性を与え、該特性を広範囲に制御することを特徴とするガス・デポジション法による超微粒子膜の形成法。