特許
J-GLOBAL ID:200903032249009983

液晶素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-210349
公開番号(公開出願番号):特開2001-033789
出願日: 1999年07月26日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 強誘電性液晶を用いたセル内の一様配向性を実現する。【解決手段】 C2一様配向を実現するためにTc-15≦T≦Tc+5(Tcは高温側の相から強誘電性液晶相へ転移する温度)のある温度Tでセルへの外圧を低くする。また、C1一様配向を実現するためにTc-15≦T≦Tc-5のある温度Tでセルへの外圧を高くする。
請求項(抜粋):
2枚の基板間に挟持された強誘電性液晶材料と、上記液晶材料の分子の表面配向を規制する少なくとも一層の配向膜とを備えた液晶セルを有する液晶素子の製造方法において、高温側の相から強誘電性液晶相への転移温度をTcとしたとき、Tc-15≦T≦Tc+5となる範囲の温度Tにおいて、液晶セルにかかる外圧を低くすることを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (2件):
G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/141
FI (2件):
G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/137 510
Fターム (14件):
2H088EA12 ,  2H088FA02 ,  2H088GA02 ,  2H088GA04 ,  2H088GA17 ,  2H088JA17 ,  2H088MA20 ,  2H090HD18 ,  2H090KA14 ,  2H090LA02 ,  2H090MA10 ,  2H090MB01 ,  2H090MB13 ,  2H090MB14

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