特許

J-GLOBAL ID：200903032252682605

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 哲司
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195628
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045433
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 素子分離に好適な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に所定形状の酸化防止膜4を形成した後、素子分離領域5を形成する選択酸化工程において、選択酸化工程の前に酸化防止膜4による素子領域と素子分離領域5の境界面に窒素をイオン注入してから素子分離酸化を行うことにより、設計通りの素子領域を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化防止膜を形成した後、素子分離領域を形成する選択酸化工程において、該選択酸化工程の前に前記酸化防止膜による素子領域と前記素子分離領域の境界面に窒素をイオン注入により導入する工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/265 Y ,  H01L 21/94 A