特許
J-GLOBAL ID：200903032255210305
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058716
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267335
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極となる単結晶導電体膜とソース/ドレイン引出し配線となる単結晶導電体膜をショートさせることなく確実に絶縁分離することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 第1の非晶質導電体膜を異方性エッチングして導電性膜パターン4側壁に対応する絶縁膜5部分に側壁非晶質導電体膜6を形成し、該側壁非晶質導電体膜6をマスクとして、該絶縁膜5をエッチングして導電体基板1及び該導電性膜パターン4を露出させ、該導電性膜パターン4及び該導電体基板1を覆うように第2の非晶質導電体膜7を形成した後、熱処理することにより、該導電性膜パターン4、該側壁非晶質導電体膜6及び該第2の非晶質導電体膜7を再結晶化して、導電性単結晶導電体膜パターン8、側壁単結晶導電体膜9及び第2の単結晶導電体膜10を形成し、該第2の単結晶導電体膜10及び該側壁単結晶導電体膜10をエッチバックして該絶縁膜5を露出させる工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
導電体基板(1)上にゲート絶縁膜(3)および導電性膜を順次形成する工程と、次いで、該導電性膜および該ゲート絶縁膜(3)をゲート電極となる領域が残るようにエッチングして導電性膜パターン(4)を形成する工程と、次いで、該導電性膜パターン(4)を覆うように絶縁膜(5)及び第1の非晶質導電体膜を順次形成する工程と、次いで、該第1の非晶質導電体膜を異方性エッチングして該導電性膜パターン(4)側壁に対応する該絶縁膜(5)部分に側壁非晶質導電体膜(6)を形成する工程と、次いで、該側壁非晶質導電体膜(6)をマスクとして、該絶縁膜(5)をエッチングして該導電体基板(1)及び該導電性膜パターン(4)を露出させる工程と、次いで、該導電性膜パターン(4)及び該導電体基板(1)を覆うように第2の非晶質導電体膜(7)を形成する工程と、次いで、熱処理することにより、該導電性膜パターン(4)、該側壁非晶質導電体膜(6)及び該第2の非晶質導電体膜(7)を再結晶化して、導電性単結晶導電体膜パターン(8)、側壁単結晶導電体膜(9)及び第2の単結晶導電体膜(10)を形成する工程と、次いで、該第2の単結晶導電体膜(10)及び該側壁単結晶導電体膜(10)をエッチバックして該絶縁膜(5)を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 29/50
