特許
J-GLOBAL ID：200903032256033830
半導体チップを使用した半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063684
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264267
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】 【課題】 絶縁基板2の表面に金属膜による矩形のダイパッド部3を形成し、このダイパッド部の表面に、矩形の発光ダイオードチップ7等の半導体チップを、ダイボンディング剤10にてダイボンディングし、この半導体チップを、合成樹脂製のモールド部9にてパッケージして成る半導体装置において、その小型・軽量化を図る。 【解決手段】 前記ダイパッド部3の矩形における長さ寸法L1及び幅寸法W1を、前記半導体チップの矩形における長さ寸法L0及び幅寸法W0の0.50〜1.50倍にすることにより、前記ダイボンディング剤の表面張力により、前記半導体チップを、その各側面がダイパッド部における各側面と平行又は略平行になる姿勢の向きに自動的に修正するとともに、ダイパッド部における中心に正確に位置するように自動的に修正する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の表面に金属膜による矩形のダイパッド部を形成し、このダイパッド部の表面に、矩形の半導体チップを、ダイボンディング剤にてダイボンディングし、この半導体チップを、合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る半導体装置において、前記ダイパッド部の矩形における長さ寸法及び幅寸法を、前記半導体チップの矩形における長さ寸法及び幅寸法の0.50〜1.50倍にすることを特徴とする半導体チップを使用した半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/48 Y
, H01L 23/48 F
, H01L 33/00 N
5F041AA37
, 5F041AA47
, 5F041DA03
, 5F041DA19
, 5F041DA35
, 5F041DA39
, 5F041DA43
, 5F041DB09
