特許
J-GLOBAL ID：200903032258012474
合金又はセラミックス又は半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 寿一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209323
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【目的】 合金又はセラミックス又は半導体の製造過程において、最終段階で行われる酸化の為の焙焼の代わりを、塩素イオン(Cl- )やフッ素イオン(F-)の強力な酸化力により低温で行うものである。【構成】 処理タンクTの内部に塩素系有機溶剤、特にメチレンクロライド溶液Meと水の混合液を配置し、70〜150°C程度に加熱することにより、処理タンクTの内部に塩素イオン(Cl- )を発生させて、合金又はセラミックスの原子を構成する電子の軌道を代えて、強力に酸化させる方法である。
請求項（抜粋）：
塩素系有機溶剤と水を混合して加熱し、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を発生させ、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を、合金又はセラミックス又は半導体を封入した処理タンク内に充填して、合金又はセラミックス又は半導体を該蒸気に曝すことにより、塩素イオンと水蒸気により酸化させることを特徴とする合金又はセラミックス又は半導体の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 8/10
, C04B 35/64
, C22C 1/00
, H01L 21/31
, H01L 21/316
