半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021089
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】MOSトランジスタの電極を自己整合的に分離する際に電極間の距離を大きくして電極間ショートを引き起こしにくい信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】MOSトランジスタのゲート構成物質の側面にシリコン窒化膜とCVD酸化膜からなる二重層の側壁あるいはシリコン窒化膜、多結晶シリコン膜、多結晶シリコン酸化膜の三重層からなる側壁のように異種物質の多重層を用いて側壁を作製して電極間の分離を行い自己整合的に金属とシリコンの化合物を形成する。【効果】電極間の距離が従来よりも大きくなって分離が確実にできる構造となり、異物によって電極間がショートするというような半導体装置の信頼性を低下させる問題を解決できた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成するMOSトランジスタの構成要素としてソースおよびドレインになる拡散層、多結晶シリコンまたは金属とシリコンの化合物あるいはこれらの多重層からなるゲート、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜あるいはこれらに加えて多結晶シリコン膜の多重層からなる側壁分離用絶縁膜、ゲートとソースおよびドレイン上に自己整合的に形成された金属とシリコンの化合物の電極からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/28 301 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 27/08 102 A

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