特許

J-GLOBAL ID：200903032271922790

半導体装置の製造方法

発明者： 橋見 一生 ,  尾近 平八
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326692
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、厚さが例えば1000〔Å〕以下と極薄く、しかも、均一な単結晶シリコン膜からなる能動層をもち、且つ、表面が平坦であるSOI構造をもった半導体装置を容易に得ることができるようにする。【構成】 面方位(100)の単結晶シリコン半導体基板1の素子分離領域形成予定部分にエッチング・マスクであるSiO2 膜2を形成し、表出されている単結晶シリコン半導体基板1をエッチングしてSiO2 膜2で覆われている素子分離領域形成予定部分をメサ1Aとし、SiO2 膜2を除去してから全面に酸素イオンの打ち込みを行い且つアニールを行って該メサ1Aをもつ単結晶シリコン半導体基板1の表面形状を受け継いだ埋め込み酸化膜3を形成し、表面を研磨しメサ1Aの除去を行って埋め込み酸化膜3で囲まれた単結晶シリコン半導体基板1の一部からなる能動層1Bを形成する。

請求項（抜粋）：

面方位(100)の単結晶シリコン半導体基板の素子分離領域形成予定部分にエッチング・マスクを形成する工程と、次いで、表出されている単結晶シリコン半導体基板をエッチングして該エッチング・マスクで覆われている素子分離領域形成予定部分をメサとする工程と、次いで、該エッチング・マスクを除去してから全面に酸素イオンの打ち込みを行い且つアニールを行って該メサをもつ単結晶シリコン半導体基板の表面形状を受け継いだ埋め込み酸化膜を形成する工程と、次いで、表面を研磨し該メサの除去を行って該埋め込み酸化膜で囲まれた該単結晶シリコン半導体基板の一部からなる能動層を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12