特許

J-GLOBAL ID：200903032274369706

エピタキシャル層を形成する方法

発明者： リック エル.ワイズ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230908
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120947
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル・シリコン・デポジッションの間、自動ドービングを制御する方法。【解決手段】 最初に、基板(10)をきれいにして、天然の酸化物があれば、それを除去する。きれいにした後、基板(10)を、ウエーハの表面における天然酸化物の成長を抑制する為に不活性又は真空雰囲気内で、デポジッション室に移送する。自動ドーピングを防止する為に、低温(即ち、500-850°C)キャップ層(14)をデポジットする。その後、温度を所望のデポジッション温度まで高め、残りのエピタキシャル層(18)をデポジットする。

請求項（抜粋）：

その中に形成されたドープ領域からの自動ドーピングをごく少なくして、基板の上にエピタキシャル層を形成する方法において、ドープ領域を持つ前記基板上のきれいにされた面をエピタキシャル・デポジッション室に供給し、前記基板の上にキャップ層をエピタキシャルに形成し、前記デポジッション室内の温度を高くし、残りのエピタキシャル層をデポジットする工程を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/06 321 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-119123
  
• 特開昭61-141118
  
• 特開平3-131542