特許
J-GLOBAL ID:200903032274782000
薄膜除去装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
川崎 実夫
, 稲岡 耕作
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-260308
公開番号(公開出願番号):特開2004-097881
出願日: 2002年09月05日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】薄膜除去後の基板の表面へのパーティクルの残留をなくす。また、レジスト膜への水分の長時間付着による問題を回避する。【解決手段】センタロボット3の周囲に、レーザ薄膜除去部4、スピン洗浄部5およびベーク乾燥部6を備えている。レーザ薄膜除去部4で一定の領域の薄膜が除去されたウエハWは、薄膜除去の後すぐに、スピン洗浄部5でスクラブ洗浄処理およびスピン乾燥処理を受け、その後さらに、ベーク乾燥部6で加熱による乾燥処理を受ける。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の表面に水膜を形成し、その水膜を通して基板表面の薄膜を除去すべき薄膜除去対象領域にレーザ光を照射して、その薄膜除去対象領域の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する薄膜除去処理部と、
この薄膜除去部で薄膜除去対象領域から薄膜が除去された後の基板の表面を洗浄する洗浄処理部と
を含むことを特徴とする薄膜除去装置。
IPC (5件):
B08B7/00
, B08B1/04
, B08B3/02
, H01L21/027
, H01L21/304
FI (7件):
B08B7/00
, B08B1/04
, B08B3/02 B
, H01L21/304 644A
, H01L21/304 648Z
, H01L21/304 651M
, H01L21/30 569Z
Fターム (25件):
2H090JB02
, 2H090JC19
, 3B116AA01
, 3B116AB33
, 3B116AB47
, 3B116BA02
, 3B116BA12
, 3B116BB22
, 3B116BB83
, 3B116BC01
, 3B116CC03
, 3B201AA01
, 3B201AB33
, 3B201AB47
, 3B201BA02
, 3B201BA12
, 3B201BB22
, 3B201BB83
, 3B201BB92
, 3B201BC01
, 3B201CC13
, 5F046FC02
, 5F046LA12
, 5F046LA17
, 5F046LB03
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