特許

J-GLOBAL ID：200903032274861635

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： クロエン ヘンドリック ケイ ,  ステーンブルッへン へラルダス エイチ エフ ダブリュ ,  ファン デ ウォーター ペーター ダブリュ エム
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-582815
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522863
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

半導体デバイス(10)が、集積回路のような半導体素子(20)及びキャリア(30)を有する。キャリア(30)はアパーチャ(15)を備え、それによって側面(3)を有する接続導体(31乃至33)が規定される。ノッチ(16)が側面(3)にもたらされる。半導体素子(20)は、キャリア(30)におけるノッチ(16)に延在する封止部(40)で封入される。その結果封止部(40)はキャリア(30)に機械的に固定される。半導体デバイス(10)は、封止ステップの後にリソグラフィステップが必要とされないプロセスで製造され得る。

請求項（抜粋）：

互いに対向して位置される第一及び第二の側を備えるキャリアを有する半導体デバイスであって、前記キャリアは前記第一の側に第一の導電層を有し、前記導電層は所望のパターンに従ってパターニングされ、それによって複数の相互に絶縁分離された接続導体が規定され、 -前記キャリアの前記第一の側に半導体素子がもたらされ、前記半導体素子は、前記キャリアの前記接続導体との接続手段を介して導電態様で接続される接続領域を備え、前記半導体素子は、前記キャリアまで延在する保護封体で封止され、 -前記第二の側にコンタクト面が基板上の位置に対して前記接続導体において規定され、 前記封体は前記接続導体において機械的に固定され、そのために前記接続導体が、没入部を有する側面を備えることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (1件)：

H01L23/12 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-024047   出願人：三洋電機株式会社