超音波トランスデューサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264522
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】超音波の送受波の方向や入射角を選択可能な超音波トランスデューサを提供する。【構成】トランスデューサ1の絶縁性ボディ5には、その下端の球面状凹面3の同心円に沿って複数の棒状電極7が埋設されている。球面状凹面3には、ポリ弗化ビニリデン・トリフルオロエチレン層(P層)11、アルミニウム膜13が順次に形成されている。棒状電極7とアルミニウム膜13との間に高電圧が印加されると、その間の領域におけるP層11が分極されて圧電効果を持つ。その結果、球面状凹面3の同心円に沿って分布した複数の圧電素子が形成される。これら複数の圧電素子は、電極7が独立しているために、互いに独立して作動可能である。

請求項（抜粋）：