特許

J-GLOBAL ID：200903032277220762

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置

発明者： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241601
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079936
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置に関し、酸化アルミニウムより低抵抗で、且つ、高いMR比が得られる絶縁膜を形成する。【解決手段】磁性層2/非磁性層3/磁性層4からなる強磁性トンネル接合1を構成する非磁性層3を、窒素と酸素とアルミニウムを含む非磁性層によって構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁性層/非磁性層/磁性層からなる強磁性トンネル接合を有する積層膜において、前記非磁性層は、窒素と酸素とアルミニウムを含むことを特徴とする強磁性トンネル接合を有する積層膜。

IPC (8件)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AC01 ,  2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03