特許

J-GLOBAL ID：200903032278147333

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 川島 紀之 ,  平 健一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347480
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184873
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 メモリセル毎の電気的特性のばらつきが生じにくい不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】基板1上に設けられる浮遊ゲート電極7をキャリア捕獲効率の異なる2種類以上の材料によって構成して、該浮遊ゲート電極7にキャリアを蓄積させてデータを記憶させることで、閾値電圧のあまり変化しない領域を生じさせ、その変化の小さな部分を回路動作のマージンとして、セルごとのばらつきや高速動作を実現する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたキャリア捕獲効率の異なる2種類以上の材料から構成された浮遊ゲート電極にキャリアを蓄積させてデータを記憶させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (40件)：

5F001AA11 ,  5F001AA13 ,  5F001AA16 ,  5F001AA19 ,  5F001AB03 ,  5F001AC02 ,  5F001AD12 ,  5F001AD62 ,  5F001AD70 ,  5F001AE02 ,  5F001AF20 ,  5F001AG03 ,  5F001AG30 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083ER09 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA41 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB04 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD37 ,  5F101BE05 ,  5F101BF05 ,  5F101BH05 ,  5F101BH16