特許
J-GLOBAL ID：200903032278644299
高分子電荷移動錯体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047211
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 成形性、加工性を有し、かつ電子材料としての安定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供すること。【構成】 有機ドナー及び有機アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー材料が導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電荷移動錯体。
請求項（抜粋）：
有機ドナー及び有機アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー材料が主鎖骨格に窒素原子を有する導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電荷移動錯体。
IPC (5件)：
H01B 1/12
, C08G 61/12 NLJ
, C08G 73/00 NTB
, C08L 65/00 LNY
, C08L 79/00 LQZ
