特許

J-GLOBAL ID：200903032278651600

半導体装置

発明者： 荻原 光彦 ,  藤原 博之 ,  佐久田 昌明 ,  安孫子 一松
出願人/特許権者： 株式会社沖データ ,  株式会社沖デジタルイメージング
代理人 (2件)： 前田 実 ,  山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373882
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207444
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、集積回路102を含むSi基板101と、この上に形成された層間絶縁膜103と、この上に形成された接着層104と、この上に形成された導通層105と、この上に貼り付けられたLEDエピタキシャルフィルム106と、LEDエピタキシャルフィルム106上からSi基板101の端子領域108に至る領域に形成された薄膜の個別配線層107とを有する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に備えられ、半導体を主材料とする接着層と、 半導体素子を含み、前記接着層上にボンディングされた半導体薄膜と を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/52 ,  B41J2/44 ,  B41J2/45 ,  B41J2/455 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/52 E ,  H01L33/00 N ,  B41J3/21 L

Fターム (27件)：

2C162AE21 ,  2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162AG01 ,  2C162AG05 ,  2C162AG12 ,  2C162AH02 ,  2C162AH03 ,  2C162AH22 ,  2C162AH33 ,  2C162AH54 ,  2C162AH55 ,  2C162AH83 ,  2C162AH84 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA47 ,  5F041BB00 ,  5F041CA06 ,  5F041CA08 ,  5F041CA24 ,  5F041CA25 ,  5F041CB04 ,  5F041CB22 ,  5F041FF13 ,  5F047AB00 ,  5F047BA00