特許

J-GLOBAL ID：200903032280360257

半導体装置

発明者： 大高 達也 ,  鈴村 隆志 ,  亀山 康晴 ,  佐藤 巧 ,  萩谷 重男
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291236
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、製造工程の増加を招くことなく低コストで、かつ高い放熱性および信頼性を有する半導体装置を提供することにある。【構成】 本発明の半導体装置は、第1のガラス転移温度において溶融する第1接着剤と第1のガラス転移温度より低い第2のガラス転移温度において溶融する第2接着剤を積層化して成る複合接着層により放熱板がリードフレームに接着固定されるようにした。

請求項（抜粋）：

金属あるいはセラミック等より形成され、リードフレームのインナーリードに接着剤層を介して固定される放熱板を有し、前記放熱板に半導体素子が接着固定され、主要部がモールドレジン内に封入される半導体装置において、前記放熱板は、第1のガラス転移温度において溶融する第1接着剤と前記第1のガラス転移温度より低い第2のガラス転移温度において溶融する第2接着剤を積層化して成る複合接着層により前記リードフレームに接着固定されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-115540
  
• 特開平4-168759
  
• 特開昭52-016167